65 nanometer-technologie voor het mobiele platform

Intel's 65-nanometer (de nanometer maakt deel uit van 1 miljardste (10-9) meter per meter) technologie biedt een betere combinatie van stroomverbruik en prestaties dan Intel momenteel gebruikt
Het 90-nanometerproces geeft Intel-chipontwerpers meer opties voor het ontwerpen van circuitdichtheid, prestaties en stroomverbruik om te voldoen aan de behoeften van gebruikers van batterijafhankelijke apparaten.

 

"Mensen zijn op zoek naar mobiele platforms die de levensduur van de batterij maximaliseren", zegt Mooly Eden, vice-president en algemeen directeur van Intel Mobile Platforms Group. “De ontwikkeling van dergelijke tools wordt verwacht van de technologie die momenteel in ontwikkeling is. We zullen de mobiele platforms van de toekomst ontwerpen door volledig gebruik te maken van onze twee state-of-the-art 65-nanometer processen.”

 

Een van de belangrijkste kwesties bij het verminderen van het stroomverbruik van chips is de ontwikkeling van transistors, wat een belangrijke overweging is voor mobiele en batterijgevoede apparaten. Microscopische transistoren verbruiken elektriciteit, zelfs wanneer ze zijn uitgeschakeld, wat voor de hele industrie geen kleine problemen oplevert.

 

"Het aantal transistors op elke chip kan meer dan een miljard bedragen, dus het is begrijpelijk hoe de ontwikkeling van transistors een positief effect kan hebben op het hele apparaat", zegt Mark Bohr, hoofd van Intel Process Architecture and Integration. “Tests van energiebesparende chips gemaakt met Intel 65-nanometer technologie hebben aangetoond dat de ‘lekkage’ van transistors ongeveer duizend keer kleiner is dan bij producten die het traditionele productieproces verlaten. Dit is een enorme energiebesparing voor gebruikers wiens apparaten op deze technologie zijn gebouwd.

 

 

Intel's 65nm-productietechnologie omvat een aantal belangrijke transistoraanpassingen die een lager stroomverbruik mogelijk maken en tegelijkertijd toonaangevende prestaties leveren. Transistormodificaties hebben de hoeveelheid lekstroom aanzienlijk verminderd. Het verminderen van transistorlekkage kan worden toegeschreven aan een lager stroomverbruik en een langere levensduur van de batterij.

 

 

Intel's 65-nanometer technologie combineert transistors met een hoger vermogen en een lager vermogen, Intel's vooringenomen silicium, high-speed kopergebaseerde jumpers en low-k-diëlektrische isolatie. Processors die zijn gebouwd met 65nm-productietechnologie stellen Intel in staat het aantal transistors te verdubbelen dat tegenwoordig op een enkele chip kan worden gebouwd (met behulp van Intel's 90nm-technologie).

 

Intel's 65-nanometer processors zullen 35-nanometer gate-length transistors bevatten, de kleinste maar krachtigste CMOS-transistors in massaproductie. Ter vergelijking: de meest geavanceerde transistors die tegenwoordig worden vervaardigd, zijn te vinden in Intel® Pentium® 4-processors, die 50 nm zijn. Kleine en snelle transistors zijn de belangrijkste bouwstenen van zeer snelle processors. 

 

Intel gebruikt dit hoogwaardige, uitgerekte silicium van de tweede generatie voor 65nm-technologie. Door gestresst silicium te gebruiken, vloeit de stroom met een hogere snelheid, waardoor de snelheid van de transistors toeneemt en de fabricagekosten met slechts twee procent stijgen.

 

Zie voor meer informatie over Intel-technologie: www.intel.com/technologie bladzijde.